
Auvergne-Rhône-Alpes
Montagne, ateliers et services
Préparer mon projet →Accompagnement en France
Le cadrage, les contenus et les validations peuvent être échangés à distance. Voici les documents utiles, les points de décision et les situations qui demandent une organisation particulière.
Les 18 régions
Choisissez votre région : priorités de contenu, exemple de parcours, documents à réunir et ressources pratiques pour créer un site et organiser sa visibilité. CFSN propose un accompagnement à distance ; une intervention sur place est étudiée selon le besoin.
Les photos de ces pages sont générées par IA : paysages fictifs inspirés des territoires.
13 régions pour préparer votre projet.

Montagne, ateliers et services
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Ateliers, produits et accueil
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Territoires, produits et demandes
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Accueil, services et contenus
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Services, commerces et publics
Préparer mon projet →Guadeloupe, Guyane, Martinique, La Réunion et Mayotte.

Accueil, commerces et organisation
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Services, distances et coordination
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Relief, accueil et numérique
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Accueil, offres et disponibilité
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Services de proximité et mobilité
Préparer mon projet →Périmètre
CFSN propose un accompagnement numérique à distance aux artisans, indépendants, TPE et PME. La commune de votre entreprise sert à définir la clientèle et la zone effectivement desservie. Elle ne prouve pas une implantation CFSN près de chez vous.
Avant d'engager un projet, faites préciser le périmètre, les personnes responsables, les délais, les frais récurrents et les éléments transmis à la livraison. Les modalités retenues doivent apparaître dans une proposition écrite.
Les pages régionales détaillent les informations à préparer et des exemples de parcours. Les anciennes fiches départementales et communales restent regroupées dans cette page nationale. Cette rubrique ne constitue pas un annuaire de bureaux ou de références clients.
Une séance photo, une captation ou une intervention sur un équipement physique ne se remplace pas par un échange en ligne. Indiquez le lieu, l'accès, les personnes disponibles et les contraintes horaires. La faisabilité, l'intervenant et les éventuels frais doivent être confirmés dans le devis avant toute réservation.
Précisez votre fuseau horaire, vos créneaux et la personne habilitée à valider. Pour une activité saisonnière, distinguez la date souhaitée de lancement et la date à laquelle les contenus pourront être fournis.
Documents de travail
| Étape | À préparer | Décision à valider |
|---|---|---|
| Cadrage | Public, problème observé, action attendue et contraintes | Pages indispensables, options reportées et critère de réussite |
| Contenus | Prestations, conditions, coordonnées, images autorisées | Exactitude des textes, droits de publication et informations manquantes |
| Prototype | Version consultable sur téléphone et ordinateur | Navigation et parcours principal avec des contenus représentatifs |
| Recette et transmission | Scénarios de test, destinataires des demandes et inventaire des accès | Tests réussis, anomalies restantes, responsabilités et maintenance |
Cas pédagogique

Un artisan intervient uniquement dans certains secteurs. Sa page indique pourtant « toute la région », et son formulaire ne demande pas la commune du chantier. Le problème à résoudre est la qualification de la demande.
Ce scénario est fictif. Il illustre une décision de conception ; il ne représente pas une réalisation ou un résultat client CFSN.
Structurer une présence locale utile · Préparer un formulaire de contact
Commencer
Indiquez votre activité, l'adresse de votre site s'il existe, votre zone réelle d'intervention, le résultat attendu, les contenus disponibles et votre échéance. N'envoyez aucun mot de passe dans un message de contact.
La fiche de projet gratuite aide à organiser ces réponses et à distinguer les coûts connus des postes restant à chiffrer. Vous pouvez la transmettre au prestataire de votre choix.
Décrire mon projetDonnées et ressources documentées
Les commerces de matériel informatique et de télécommunication sont des catégories de proximité, pas un recensement des agences web. Les chambres consulaires documentent l’accompagnement des entreprises, sans se substituer au choix du prestataire numérique.
| Catégorie de la source | 2015 | 2020 | 2025 | Évolution 2020–2025 | Historique illustré |
|---|---|---|---|---|---|
| Magasin électroménager, matériel audio vidéo informatique B321 | 12 701 | 11 903 | 9 774 | -2 129 (-17,9 %) | Base zéro · échelle propre à cette ligne |
| Magasin de matériels de télécommunication B322 | 4 689 | 4 685 | 5 327 | +642 (+13,7 %) | Base zéro · échelle propre à cette ligne |
Les valeurs absentes restent « Non renseigné ». Les évolutions portent sur la série comparable publiée par l’Insee, et non sur une soustraction entre deux annuaires. Les catégories peuvent regrouper plusieurs activités ; elles ne mesurent ni les ventes, ni les capacités d’accueil, ni la qualité des prestations.
Insee — Base permanente des équipements · publication du 2026-07-09 · consulté le 22/10/2026 · Licence Ouverte 2.0.
Fichier source : DS_BPE_EVOLUTION_2025_data.csv.
Adresse du relevé utilisé : https://www.insee.fr/fr/statistiques/fichier/8217532/DS_BPE_EVOLUTION_CSV_FR.zip.
Les dates des fiches peuvent être antérieures à celle du fichier. La présence dans ce relevé ne certifie pas une ouverture, une disponibilité ou une prise en charge actuelle. Vérifiez la fiche officielle avant une démarche ou un déplacement.
Les résultats proviennent des relevés indiqués ci-dessous. La zone sélectionnée s’applique aux statistiques et aux lieux, tandis que les aliments, produits, métiers, fiches pratiques, activités, notions, certifications et bibliographies restent des référentiels nationaux. Les travaux de recherche couvrent des références nationales ou internationales.
442 résultats · page 1 sur 25 · jusqu’à 18 entrées affichées. Classement par année décroissante puis titre.
Rechercher un titre, une abréviation, un ISSN ou un éditeur renseigné, puis lire les références HAL associées à une fiche précise. Le répertoire couvre 86 notices liées dans la sélection du site, avant les autres filtres de recherche.
70 fiche(s) correspondant à la recherche · page 1 sur 4.
| Titre dans le référentiel | ISSN publiés | Éditeur renseigné | Notices de la sélection |
|---|---|---|---|
| Accident Analysis & Prevention Revue HAL 9464 | ISSN : 0001-4575 ISSN électronique : 1879-2057 | Elsevier | 1 2023 |
| Advanced Modeling and Simulation in Engineering Sciences Revue HAL 117751 | ISSN : 2213-7467 | Springer | 2 2022–2023 |
| Advanced Science Revue HAL 109668 | ISSN : 2198-3844 | Wiley Open Access | 2 2025–2026 |
| Animals Revue HAL 112217 | ISSN : 2076-2615 | MDPI | 1 2021 |
| Applied Catalysis B: Environmental Revue HAL 10609 | ISSN : 0926-3373 ISSN électronique : 1873-3883 | Elsevier [1992-....] | 1 2022 |
| Biochemistry Revue HAL 3429 | ISSN : 0006-2960 ISSN électronique : 1520-4995 | American Chemical Society | 1 2026 |
| Business & IT Revue HAL 1607913 | ISSN : 2570-7434 ISSN électronique : 2570-7434 | Non renseigné | 1 2024 |
| CHEMISTRY-SWITZERLAND Revue HAL 1203127 | Non renseignés | Non renseigné | 1 2023 |
| Communication - Commerce électronique Revue HAL 24017 | ISSN : 1292-8682 ISSN électronique : 1760-7949 | Éditions du Juris-Classeur [1999-2004] - LexisNexis [2005-....] | 1 2006 |
| Computational and Structural Biotechnology Journal Revue HAL 107293 | ISSN : 2001-0370 | Elsevier | 1 2026 |
| Computer Standards and Interfaces Revue HAL 12037 | ISSN : 0920-5489 ISSN électronique : 1872-7018 | Elsevier | 1 2026 |
| Décisions Marketing Revue HAL 25876 | ISSN : 0779-7389 | Association Française du Marketing | 1 2000 |
| Electronics Revue HAL 109186 | ISSN : 2079-9292 | MDPI | 1 2023 |
| En vue - Lettre d'information de l'INSA de Lyon Revue HAL 66278 | Non renseignés | INSA de lyon | 1 2009 |
| Environmental Science : Atmospheres Revue HAL 175132 | ISSN : 2634-3606 | Royal Society of Chemistry | 1 2025 |
| Environmental Science & Policy Revue HAL 12951 | ISSN : 1462-9011 ISSN électronique : 1873-6416 | Elsevier | 1 2021 |
| European Journal of Mechanics - A/Solids Revue HAL 13059 | ISSN : 0997-7538 | Elsevier | 1 2026 |
| European Journal of Mechanics - B/Fluids Revue HAL 13060 | ISSN : 0997-7546 ISSN électronique : 1873-7390 | Elsevier | 1 2025 |
Source : HAL et son référentiel des revues, CCSD. Complément de métadonnées relevé le 23 octobre 2026, associé aux références documentaires du 22 octobre 2026. Les métadonnées sont réutilisables sous CC0 ; les droits des textes intégraux restent propres à chaque document.
Seules les références portant un titre de revue dans le relevé initial sont interrogées. L’identifiant numérique du document, son identifiant HAL, sa version et son titre de revue doivent correspondre avant d’utiliser son identifiant de revue. La fiche cible doit être récupérée dans le référentiel. Un identifiant direct est privilégié ; une correspondance d’ancien identifiant n’est utilisable que si elle est explicitement publiée et univoque. Une référence non confirmée conserve ses informations d’origine, sans lien ajouté.
Les homonymes restent séparés par leurs identifiants. Ni le titre seul, ni un ISSN, ni le nom d’un éditeur ne servent à fusionner les fiches. L’absence de champ ne prouve pas l’absence d’éditeur ou d’identifiant. Les statuts techniques de HAL ne constituent pas une appréciation scientifique.
Les nombres portent sur les notices de la sélection du site, pas sur l’ensemble du contenu d’une revue. Des notices différentes peuvent décrire un même travail. Aucun facteur d’impact, nombre de citations, classement, tarif ou disponibilité n’est déduit. Les conditions actuelles d’accès, d’abonnement et de dépôt restent à vérifier auprès du périodique et sur la notice HAL.
Référentiel des revues et champs de l’API HAL · Lire les fiches de revues dans auréHAL · Principes et réutilisation CC0 des métadonnées HAL.
Choisissez un domaine pour consulter les notices dont le code est publié dans HAL. Les effectifs portent sur toute la sélection du site, avant les autres filtres ; un identifiant HAL est compté une seule fois par domaine. Une notice peut figurer dans plusieurs domaines : les effectifs ne s’additionnent pas.
Libellés et codes du référentiel des domaines HAL, relevés le 23 octobre 2026. Le regroupement utilise les codes effectivement publiés dans les notices ; aucun rattachement supplémentaire n’est déduit des intitulés.
Ces intitulés sont ceux publiés dans les notices HAL retenues par le site. Un intitulé identique peut couvrir plusieurs éditions ; les dates restent celles de chaque notice. Les variations d’écriture restent séparées. Les effectifs comptent une fois chaque identifiant HAL, avant les autres filtres.
Source : métadonnées HAL / CCSD, relevées le 23 octobre 2026. Ce répertoire décrit les travaux déposés ; il ne constitue pas un agenda d’inscription aux événements.
Lire des références de recherche sur logiciels, web et conception numérique. Les axes ci-dessous organisent cette sélection documentaire ; ils ne constituent pas une évaluation critique des travaux. Les références sont nationales ou internationales ; le choix d’un territoire ne filtre pas cette bibliographie. Rechercher un titre, un auteur, des mots-clés, un identifiant HAL ou un DOI.
Source : HAL, archive ouverte développée par le Centre pour la communication scientifique directe (CCSD). Métadonnées bibliographiques initiales récupérées le 22 octobre 2026, réutilisées sous CC0 1.0. Les droits du document lui-même sont précisés sur sa notice officielle.
Cette sélection retient au plus les 200 premiers résultats par recherche sur les titres et mots-clés de HAL, triés par date du travail décroissante, pour les années 2000 à 2026. Les titres et mots-clés sont contrôlés à nouveau pour les termes de chaque axe. Un identifiant HAL est compté une seule fois par site ; la version la plus élevée rencontrée dans les réponses retenues est conservée. Des notices différentes peuvent encore décrire un même travail. La sélection n’est pas exhaustive et son ordre ne constitue pas un classement de qualité.
Articles, communications, thèses, mémoires, rapports et prépublications ont des statuts documentaires distincts. Le dépôt dans une archive et le type indiqué ne suffisent pas à établir une évaluation par les pairs. Les résumés sont ceux fournis dans les métadonnées, attribués aux auteurs de la notice ; ils restent à lire avec le travail complet et son contexte. Leur présence ne vaut pas recommandation médicale, juridique, financière ou technique.
La date du travail, la date de dépôt et la date de modification décrivent des événements différents. Un fichier signalé dans HAL ne garantit pas son accès actuel ; la notice officielle précise les conditions de consultation. Les axes sont documentaires : ils ne localisent pas les auteurs ni les terrains d’étude dans le territoire sélectionné ailleurs sur la page.
Rechercher dans HAL · Principes et réutilisation des métadonnées HAL.
Thèse · tel-05140190 · version 1 présente dans le relevé.
Consulter la notice officielle HAL
| Champ | Valeur de la notice |
|---|---|
| Titres et traductions indexés | Interaction mechanisms of hydrogen with silicon bulk and interface defects in passivated contacts of PV cells. Mécanismes d'interaction de l'hydrogène avec les défauts de volume du silicium et d'interface dans les contacts passivés des cellules PV |
| Date du travail indiquée dans HAL | 2024-12-16 |
| Date de dépôt dans HAL | 2025-07-02 13:03:06 |
| Date de modification de la notice | 2026-04-09 03:04:24 |
| Revue | Non renseigné |
| Ouvrage associé | Non renseigné |
| Conférence associée | Non renseigné |
| Volume | Non renseigné |
| Numéro | Non renseigné |
| Pagination | Non renseigné |
| Langues du document (codes ISO) | en |
| DOI publié | 10.70675/7fb20e75z6cc5z4adfzb50fz44dd815fbf39 |
| Type de dépôt indiqué dans HAL | file |
| Licence du document indiquée dans HAL | https://about.hal.science/hal-authorisation-v1/ |
Consulter la référence par DOI
Informations d’accès relevées dans HAL le 23 octobre 2026 pour la version 1 de cette notice.
Les liens et l’indicateur décrivent le relevé de métadonnées ; les conditions d’accès peuvent évoluer. Une annexe ou une ressource liée peut avoir des conditions distinctes de celles du fichier principal. La licence affichée reste celle déclarée dans la notice. Source : notice officielle HAL, version 1, identifiant de document 5140190. Définition des champs de l’API HAL ; métadonnées HAL sous CC0.
Structures indexées dans la notice HAL tel-05140190, version 1. Relevé et référentiel consultés le 23 octobre 2026. Cette indexation peut inclure des structures parentes ; elle n’attribue pas chacune de ces structures à chaque auteur.
| Structure et identifiant HAL | Type et statut du référentiel | Informations publiées |
|---|---|---|
| Laboratoire d'Innovation pour les Technologies des Energies Nouvelles et les nanomatériaux Structure HAL 1203346 LITEN / CEA-DES | Laboratoire Statut : VALID | Codes, dates et repères de la structure
|
| CEA-Direction des Energies (ex-Direction de l'Energie Nucléaire) Structure HAL 92792 CEA-DES (ex-DEN) | Regroupement de laboratoires Statut : VALID | Codes, dates et repères de la structure
|
| Institut National de L'Energie Solaire Structure HAL 163504 INES | Regroupement de laboratoires Statut : VALID | Codes, dates et repères de la structure
|
| Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Structure HAL 300016 CEA | Établissement ou institution Statut : VALID | Codes, dates et repères de la structure
|
| Université Savoie Mont Blanc Structure HAL 432896 USMB [Université de Savoie] [Université de Chambéry] | Établissement ou institution Statut : VALID | Codes, dates et repères de la structure
|
| Centre National de la Recherche Scientifique Structure HAL 441569 CNRS | Regroupement d’établissements Statut : VALID | Codes, dates et repères de la structure
|
Les statuts VALID, OLD et INCOMING décrivent le traitement des fiches dans le référentiel. Les dates, adresses et identifiants ne permettent pas de déduire l’activité actuelle d’un organisme ni l’affiliation actuelle d’un auteur. Les codes pays concernent les structures, pas les terrains d’étude.
10 autre(s) notice(s) dans la sélection du site, avant les filtres de recherche.
Jusqu’à six notices sont affichées par année du travail décroissante. Une structure commune ne prouve pas une collaboration entre les auteurs. Ces nombres décrivent la sélection du site et non la production complète de la structure.
7 autre(s) notice(s) dans la sélection du site, avant les filtres de recherche.
Jusqu’à six notices sont affichées par année du travail décroissante. Une structure commune ne prouve pas une collaboration entre les auteurs. Ces nombres décrivent la sélection du site et non la production complète de la structure.
285 autre(s) notice(s) dans la sélection du site, avant les filtres de recherche.
Jusqu’à six notices sont affichées par année du travail décroissante. Une structure commune ne prouve pas une collaboration entre les auteurs. Ces nombres décrivent la sélection du site et non la production complète de la structure.
Les correspondances utilisent les identifiants des structures indexés dans cette version du document. Un ancien identifiant est rapproché uniquement si HAL publie une correspondance univoque. Source : notice officielle HAL ; référentiel des structures et définition des champs ; métadonnées HAL sous CC0.
Codes de la notice tel-05140190, version 1, et libellés du référentiel HAL relevés le 23 octobre 2026.
Domaine principal indiqué dans HAL : Physique [physics]/Physique [physics] (phys.phys).
Fiche officielle du domaine HAL · Consulter les 3 notices de ce domaine dans la sélection
Fiche officielle du domaine HAL · Consulter les 5 notices de ce domaine dans la sélection
2 autres notices dans la sélection du site.
4 autres notices dans la sélection du site.
Ce classement décrit l’indexation documentaire du dépôt. Il ne constitue ni un label de qualité, ni une spécialité professionnelle attribuée aux auteurs. Les liens vers d’autres travaux reposent sur un code commun dans les métadonnées et affichent au plus six notices par domaine, par année du travail décroissante. La hiérarchie ci-dessus reprend les identifiants parents du référentiel ; elle ne modifie pas les codes du dépôt.
Source : notice officielle HAL, même document et même version que la référence initiale. Référentiel des domaines · métadonnées HAL sous CC0.
Auteurs indexés : Vincent Bocquet. Source : tel-05140190, version 1.
Pour continuer à réduire le coût de l’énergie photovoltaïque et accélérer son déploiement, un levier clé est l’augmentation du rendement des cellules solaires. De fait, la filière dominante basée sur le silicium cristallin (c-Si, ≈ 97 % de la production) se tourne actuellement vers un nouveau standard capable d’atteindre des rendements record (> 25 %). Celui-ci, nommé TOPCon, consiste à intercaler entre le substrat c-Si et les contacts métalliques un oxyde tunnel (SiOx < 2 nm) et une couche de silicium poly cristallin fortement dopé, qui apportent une excellente passivation de surface. Cependant, la passivation chimique assurée par le SiOx peut être grandement améliorée si une étape d’hydrogénation est inclue lors de la fabrication. L’hydrogène H tend à se lier aux défauts structurels et impuretés, inhibant les recombinaisons qui s’y produisent. Toutefois, H est particulièrement difficile à observer et peut exister sous de nombreuses formes, ce qui complique la compréhension de son comportement. Cette thèse vise donc à mieux comprendre la dynamique de l’hydrogène et de ses effets dans les contacts passivés TOPCon, afin d’améliorer la performance et la stabilité des cellules solaires. Dans une étude préliminaire, différentes méthodes d’hydrogénation ont été comparées, conduisant à la sélection d’un nitrure SiNx :H comme source d'H. L’approche adoptée a alors consisté à analyser le contact TOPCon tout au long de son procédé de fabrication. L’impact de chaque étape sur l’hydrogène et la passivation a été étudié en utilisant différentes méthodes de caractérisation. La spectroscopie infrarouge (FTIR) a permis de sonder les liaisons chimiques formées par l’hydrogène au sein des empilements c-Si/SiOx/poly-Si : leur nature, quantité et localisation. En raison de la faible quantité d’H dans les films de poly-Si déposés par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), nous avons dû utiliser des modes de mesure plus sensibles que la transmission, telles que la réflexion totale atténuée (ATR) ou les réflexions internes multiples (MIR). Une première étude a identifié que deux types de liaisons sont majoritaires: les monohydrides Si–H1 et les dihydrides Si–H2. En utilisant des dépôts de différentes épaisseurs, il a été démontré qu’en sortie de LPCVD, les Si–H1 sont réparties de manière homogène dans l’épaisseur du silicium amorphe (a-Si :H), tandis que les Si–H2 se concentrent à plus de 70% dans les premiers nanomètres de film et/ou aux interfaces. Pendant le recuit de cristallisation, la majorité de l’hydrogène exo-diffuse, et les liaisons restantes sont situées proches des interfaces. Ensuite, l’hydrogénation se traduit par l’apparition de liaisons Si–H1 orientées perpendiculairement au plan d’incidence, et localisées dans la zone des interfaces. Pour distinguer plus précisément à quelle interface ces liaisons sont situées, des empilements avec des oxydes plus épais (25 nm) ont été préparés, puis analysés par une combinaison de FTIR et de profilage élémentaire en profondeur (SIMS). Le nombre d’atomes d’hydrogène impliqués a ainsi pu être quantifié de manière précise, confirmant globalement les résultats obtenus par FTIR. L’analyse des échantillons avec oxyde épais montre que les liaisons Si–H1 issues de l'hydrogénation et détectées par FTIR se situent à l’interface poly-Si/SiOx. Malheureusement, les liaisons formées à l’interface c Si/SiOx, cruciale pour la passivation, semblent être trop peu nombreuses pour être détectées. En parallèle, des expériences de résonance paramagnétique électronique (RPE) ont été menées. Bien que le spin nucléaire de l’hydrogène n’ait pu être détecté, les signaux associés aux liaisons pendantes permettent tout de même de mesurer ses effets. Afin d’obtenir les mesures les plus fiables possibles, une méthodologie et des paramètres de mesure spécifiques ont été déterminés. Les spectres obtenus ont alors permis de quantifier les liaisons pendantes et leur évolution au cours du procédé de fabrication.
Auteurs indexés : Vincent Bocquet. Source : tel-05140190, version 1.
Increasing the power-conversion efficiency of solar cells is a key lever to further reduce the costs of photovoltaics and promote the quick deployment of this low-carbon electricity source. As a result, the dominant technology based on crystalline silicon (c-Si, ≈ 97 % of global production), is currently shifting towards a new industrial standard capable of achieving record efficiencies (> 25 %). Known as TOPCon, it interlays a tunnel oxide (SiOx, < 2 nm) and a highly doped polycrystalline silicon (poly-Si) layer between the c-Si substrate and the metal contacts, providing an excellent surface passivation. The chemical passivation offered by the SiOx can nonetheless be improved by adding a hydrogenation step to the manufacturing process. Hydrogen (H) tends to bond with structural defects and impurities, thereby inhibiting their recombination activity. However, H is notoriously hard to observe and can exist in various conformations, which limits our current knowledge on its behaviour and interactions. The objective of this thesis is thus to gain a deeper understanding of the dynamics and effects of H in TOPCon stacks, in order to enhance their performance and reliability of the cells. In a preliminary study, different hydrogenation methods were compared, allowing us to select a specific SiNx:H layer as our hydrogen source. The approach chosen was then to monitor the TOPCon stack throughout its fabrication process. By using various characterization techniques, the impact of each step on hydrogen and passivation was assessed. Infrared spectroscopy (FTIR) was used to study the evolution of the bonds formed by H: their nature, quantities, and location. Given the low abundance of H in the poly-Si films deposited by low pressure chemical vapour deposition (LPCVD), transmission measurements were not sensitive enough. Other configurations had to be used to get a better signal-to-noise ratio, such as multiple internal reflection (MIR) and attenuated total reflection (ATR). A first study identified two predominant bonding conformations: monohydrides Si–H1 and dihydrides Si–H2. Using different film thicknesses, it was demonstrated that in the as deposited LPCVD layer, Si–H1 bonds are uniformly distributed across the film thickness, while Si–H2 are primarily (> 70 %) located within the first nm of film and/or at the interfaces. During the crystallization annealing, the majority of the H effuses out of the film, and the remaining bonds are concentrated in the near-interface region. Upon hydrogenation, a small amount of Si–H1 bonds then appears in that same region. Polarized measurements indicate that these bonds exhibit a preferential orientation perpendicular to the incidence plane. To determine at which interface these bonds are truly located, samples featuring thicker oxides (25 nm) were prepared and subsequently analysed using a combination of FTIR and elementary depth profiling (SIMS). This allowed us to quantify more precisely the hydrogen involved and generally confirmed the previous FTIR observations. The results indicate that the Si–H1 bonds observed upon hydrogenation by FTIR mainly stem from the poly-Si/SiOx interface. Unfortunately, the bonds formed at the c Si/SiOx interface, which are critical for passivation, appear to be too scarce to be detected. In parallel, electron spin resonance (ESR) experiments were conducted. Although the nuclear spin of H was not detected, signals associated with dangling bonds enabled us to measure its effects. To ensure the most reliable ESR measurements possible, a dedicated methodology was established and specific measurement settings were determined. The resulting spectra were then used to quantify the dangling bonds and track their evolution throughout the manufacturing process.
Les résumés restituent les métadonnées du dépôt. Pour apprécier les résultats, la méthode et les limites du travail, consultez le document et son contexte. Métadonnées HAL sous CC0.